有源晶振溫度補(bǔ)償技術(shù)術(shù)語簡(jiǎn)介

標(biāo)稱頻率：有源晶振中心頻率或頻率的標(biāo)稱值．

頻率準(zhǔn)確度：有源晶振輸出頻率在室溫（25°C± 2°C）下相對(duì)標(biāo)稱頻率偏差．

頻率范圍：某種規(guī)格的有源晶振所能產(chǎn)生頻率的頻帶范圍．

頻率穩(wěn)定度：在指定溫度范圍內(nèi)有源晶振輸出頻率相對(duì)于25°C時(shí)測(cè)量值的最大允許頻率偏差．

工作溫度范圍：能夠保證有源晶振輸出頻率及其他各種特性符合指標(biāo)的溫度范圍。

老化：在確定時(shí)間內(nèi)輸出頻率的相對(duì)變化．

電源電壓：加在有源晶振電源端（Vcc）的能夠使振蕩器正常工作的電壓。

電源電流：流過有源晶振電源端（Vcc）的總電流．

高電平電壓（VOH）：在合適負(fù)載下有源晶振輸出高電平所允許的最小電壓。

低電平電壓（VOL）：在合適負(fù)載下有源晶振輸出低電平所允許的最大電壓。 

占空比：反映輸出波形的對(duì)稱性，也就是，在一個(gè)周期內(nèi)，高電平與低電平所占比例之比。

上升時(shí)間（Tr）：方波從低電平轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖降臅r(shí)間。

下降時(shí)間（Tf）：方波從高電平轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娖降臅r(shí)間。

相位噪聲：用于表述有源晶振的短期頻率波動(dòng)，通常定義為載波發(fā)生某一頻率偏移時(shí)在1Hz帶寬內(nèi)的單邊帶功率密度，單位為dBc/Hz。

HCMOS/TTL 兼容：設(shè)計(jì)有源晶振使之既能驅(qū)動(dòng)TTL負(fù)載，又能驅(qū)動(dòng)HCMOSL負(fù)載，同時(shí)維持最小的HCMOS邏輯高電平.

扇出：描述有源晶振帶負(fù)載的能力，表示一個(gè)輸出能帶負(fù)載的數(shù)目，可用一個(gè)等效負(fù)載電容CL表示，或者用一個(gè)由二極管、負(fù)載電阻及一個(gè)電容組成的TTL負(fù)載電路表示。